日本突破采用銀納米線制備透明電極技術(shù)

http://www.memowall.cn 發(fā)表日期：2011-2-22 9:42:30 蘭格鋼鐵

    大阪大學(xué)產(chǎn)業(yè)化研究所的菅沼研究室開發(fā)出了可在類似于PET的低耐熱性塑料基板上形成透明電極的技術(shù)，并在“PrintableElectronics2011”(2011年2月16～18日，東京有明國際會展中心，與“nanotech2011國際納米科技綜合展暨技術(shù)會議”同時舉行)上進(jìn)行了展示。大阪大學(xué)已經(jīng)確認(rèn)，該技術(shù)可確保與原來相同的透明性和導(dǎo)電性，即使彎折也不會出現(xiàn)電阻上升等問題。目標(biāo)是應(yīng)用于有機EL照明展品以及有機太陽能電池等柔性元件專用的透明電極中。

    透明電極一般采用真空蒸鍍的ITO(IndiumTinOxide)。不過，ITO膜較硬，因此不適于需要進(jìn)行彎折的柔性元件。作為柔性透明電極的開發(fā)方法，有涂布分散在PVP中的銀(Ag)納米線，然后在200℃的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，實現(xiàn)了與ITO膜相當(dāng)?shù)耐该鞫群偷碗娮璧淖龇�。不過，這種情況下需要燒結(jié)工序，因此存在著難以在類似于PET的低耐熱性塑料基板上形成透明電極的問題。

    此次，大阪大學(xué)開發(fā)出了采用銀納米線、但可省去燒結(jié)工序的技術(shù)。具體方法是，清洗分散在PVP中的銀納米線，將銀納米線上附著的PVP量減至最低。由此，可省去在涂布后蒸發(fā)PVP的燒結(jié)工序。涂布后只實施沖壓工序便實現(xiàn)了希望的透明性和低電阻。關(guān)于清洗工序，大阪大學(xué)稱已對其進(jìn)行了優(yōu)化，不過未公布詳情。(技術(shù)在線)

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